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Applications of Silicon-Germanium Heterostructure Devices
Lingua
Inglese
Inglese
Libro
Rigido
Deals with the design and optimization of transistors made from strained layers. This book covers ke...
Descrizione completa
Codice Libristo: 06670073
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1086 b
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Deals with the design and optimization of transistors made from strained layers. This book covers key technology issues for the growth of strained layers, background theory of the HBT, and how device simulation can be used to predict the optimum HBT device structure for a particular application such as cryogenics.
Informazioni sul libro
Titolo completo
Applications of Silicon-Germanium Heterostructure Devices
Autore
G. A. Armstrong
Lingua
Inglese
Inglese
Rilegatura
Libro - Rigido
Data di pubblicazione
2001
Numero di pagine
402
EAN
9780750307239
ISBN
9780750307239
Codice Libristo
06670073
Casa editrice
Taylor & Francis Ltd
Peso
449
Dimensioni
156 x 234 x 24
